报告人简介：
赵泽夫，博士，福建福州人，致力于先进FE存储元件，GAA逻辑元件与高性能电容元件开发的研究工作。研究成果发表以第一作者发表在IEEE VLSI 2023 /2024 国际顶会，IEEE EDL/TED国际期刊。
报告内容简介：
随着逻辑工艺演进，FinFET已经难以达到2nm以下节点的性能需求。台积电将在2nm采用纳米片电晶体nanosheet FET。同时台积电在5nm节点采用的SiGe FinFET来提升mobility，本次报告将讨论SiGe nanosheet/nanowire FET。氧化鉿鋯(HZO) 作为先进铁电/反铁电材料，可以基于其铁电特性应用在FeFET，FeRAM，FTJ等存储元件，也可以基于其high-k特性应用在MIM电容，逻辑元件之high-k metal gate等场景。本次报告将会分享氧化鉿鋯在GAAFET逻辑元件，FeFET与MFM存储元件，MIM电容元件的应用。
