报告主题：全Ⅳ族光电子材料与器件

报 告 人：伍绍腾 研究员

报告时间：2026年04月23日（周四）19:30-21:00

报告地点：晋江校区教学实验楼A区小报告厅

报告内容：

硅光子集成技术以光子为信息载体，凭借高带宽、低损耗、抗干扰等优势，在光通信、光子计算、传感等领域展现出不可替代的应用价值。 硅基Ge及GeSn等IV族材料作为与CMOS工艺完全兼容的准直接带隙材料，近些年已被陆续证明适于制作近/中红外波段的光源、调制器和探测器等Si光器件。本报告主要聚焦于报告人在全Ⅳ族光电子材料与器件方面的研究成果，并重点介绍Ge/GeSn材料集成、光电探测器、光源器件、及FINFET与GAA晶体管器件等研究进展。

报告人简介：

伍绍腾，中国科学院半导体所研究员、博士生导师。专注于聚焦于全Ⅳ族的光电子材料与器件研究，已在Si基材料外延、Si基光源及探测、及大尺寸GeOI衬底制备等取得了突出成果。2020年以来，围绕Ⅳ族光电子以第一或通讯作者身份在领域核心期刊，如Photonics Research、ACS Photonics、Applied Physics Letters、Optics Letters、及IEEE JSTQE等发表了论文20余篇，申请/授权的国内外专利20余项。全Ⅳ族的光电子成果被知名半导体媒体Semiconductor Today三次专刊报道。研究获得了包括获得了包括国自然基金委（面上）、科技部（重点研发子课题）、中国科学院（择优）、北京市（面上，国际合作）等在内的总计约千万元项目经费支持。