报告主题：面向CMOS集成的新型P型半导体材料与器件探索

报 告 人：刘奥 教授

报告时间：2026年4月23日（周四）18:00-19:30

报告地点：晋江校区教学实验楼A区小报告厅

报告内容：开发高性能、稳定的新型P型(半)导体和器件是实现低成本、大面积互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的关键。然而，高性能P沟道场效应晶体管（p-FET）的发展长期受限于材料本征局限、载流子输运机制不清晰以及器件制备与集成复杂性，尤其在非晶体系中，稳定高效的P型导电通道始终难以实现。在我的报告中，我将对这一研究领域进行全面概述，并汇报我们近期在制备高性能P-TFT方面取得的进展。随后，我将介绍我们最近在高性能卤素钙钛矿和氧化物基P沟道TFT方面的工作以及CMOS集成电路的研究进展，该成果不仅在科学上回答了“如何在新型半导体体系中获得稳定P型导电通道”的关键问题，也在应用上展示了柔性、低成本和大面积兼容的芯片新路径，为柔性显示、可穿戴电子和人工智能感知系统等前沿应用提供了重要支撑。

报告人简介：刘奥，电子科技大学基础与前沿研究院教授、博士生导师，国家级青年人才。韩国浦项科技大学取得工学博士学位，美国西北大学开展博士后研究。长期从事新型半导体材料与信息器件研究，主要研究方向包括新型P型半导体材料开发、薄膜电子器件与集成电路等。首次提出并验证了高性能非晶P型复合氧化物半导体的设计方法，并实现其在薄膜晶体管与柔性全氧化物CMOS电路中的应用。以第一/通讯作者在Nature、Science、Nature Electronics（4篇）、Nature Reviews Electrical Engineering、Nature Protocols、Science Advances、Nature Communications（3篇）、Advanced Materials（5篇）等学术期刊发表论文80余篇。主持基金委、JKW、科技部等科研项目。曾获“中国十大新锐科技人物”、“中国芯片科学十大进展”、“川渝科技学术优秀论文一等奖”、华为“华大年茶思屋学者”等荣誉。现任Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry期刊执行主编。