haizhong_zhang@fzu.edu.cn

教授||博士生导师||“闽江学者奖励计划”特聘教授||新加坡南洋理工大学微电子专业博士学位||Email: haizhong_zhang@fzu.edu.cn国家级重大人才计划青年项目入选者，福建省“百人计划”入选者，海外高层次留学人才回国资助项目获得者，曾任中芯国际集成电路制造（上海）有限公司高级研发工程师，香港城市大学助理研究员，新加坡南洋理工大学副研究员，新加坡科研局研究科学家，具有丰富的科研和企业工作经历。主要从事第四代氧化镓半导体材料生长、功率器件与紫外探测器件设计、制备、器件热管理及可靠性等方面的研究。在Advanced Functional Materials，IEEE Electron Device Letters，Applied Physics Letters等高水平期刊上共发表论文40余篇，申请中国专利25项。主持或参与主持多项科技重大项目。欢迎有志于在上述相关研究领域开展科研活动的硕士、博士研究生、博士后加入本课题组，课题组可以提供与国内外一些高校联合培养的机会。

工信部集成电路领域知识产权鉴定专家集成电路知识产权联盟专家委员会专家委员2022年全球青年科技创新论坛专家委员会专家委员福建省微电子领域智库专家福建省射频与功率芯片制造工程研究中心外聘专家福州市人才促进会海外专委会副秘书长福建省国际人才交流协会理事晋江博士协会副会长新加坡物理研究协会（Institute of Physics Singapore）终身会员

主要研究领域：1、宽禁带化合物半导体外延生长2、高压功率器件设计与开发3、紫外光电探测器件设计与开发4、半导体器件热管理与可靠性

1. 应用于高功率器件的大尺寸高质量氧化镓材料关键技术研发及产业化，福建省科技重大专项，福建省科技厅，500万元
2. “闽江学者奖励计划”项目，福建省高层次人才项目，福建省人力资源和社会保障厅，100万元
3. 高层次留学回国人才资助计划项目，海外高层次人才项目，人力资源和社会保障部，60万元

1. Gallium‐Based Semiconductor Integrated Circuits: Past, Present, and Future for Emerging Optoelectronic Devices, Advanced Functional Materials, 2026, e27869
2. β-Ga2O3 Vertical U-Trench MOSFET With Nitrogen-Doped Current Blocking Layer Grown via Ex Situ and In Situ MOCVD Epitaxy, IEEE Electron Device Letters, 2026, 47(1): 45-48
3. Achieving high carrier concentration β-Ga2O3 epilayers via MOCVD using SiCl4 as dopant, Applied Physics Letters, 2026, 128(2): 022106
4. Achievement of High‐Quality Gallium Oxide Epitaxial Growth via Machine Learning, Advanced Functional Materials, 2025
5. Ultrahigh-Performance Photovoltaic Ga2O3 Solar-Blind Ultraviolet Detectors via Two-Dimensional Step-Flow Growth and Drift Region Optimization, ACS Applied Materials & Interfaces, 2025
6. In situ nitrogen doping of β-Ga2O3 during MOCVD homoepitaxy: A theoretical and experimental study, Applied Physics Letters, 2025
7. Insight into the High Hole Concentration of p-Type Ga2O3 via In Situ Nitrogen Doping, The Journal of Physical Chemistry Letters, 2025, 16(17): 4243-4251
8. Nitrogen-doped Ga2O3 current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga2O3 vertical device fabrication, Applied Physics Letters, 2024, 125(20)
9. Ga₂O₃ Vertical FinFET With Integrated Schottky Barrier Diode for Low-Loss Conduction, IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71(4): 2530-2535
10. Over 2 GW/cm² low-conduction loss Ga₂O₃ vertical SBD with self-aligned field plate and mesa termination, Applied Physics Letters, 2024, 125(2)

1、中国国际大学生创新大赛2024总决赛金奖（小组第一、入选2025年国家博物馆创新成果展）

集成电路工程、新一代电子信息技术