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工作经历：2022.07-至今，福州大学，先进制造学院、物理与信息工程学院，专任教师2020.07-2022.07，中山大学，光电材料与技术国家重点实验室，博士后教育背景：2017.09-2020.06，中山大学，凝聚态物理，理学博士2014.09-2017.07，中科院福建物构所，凝聚态物理，理学硕士2010.09-2014.06，福州大学，应用物理学，理学学士

1.担任Applied Physics Letters，The European Physical Journal Special Topics, Journal of Physical Chemistry Letters 等期刊审稿人；2.受邀担任“中国新材料发展产业联盟”常务理事，“2024光电子与半导体器件发展论坛”专题主席，“全国半导体材料与电子元器件发展论坛”学术委员等职务。

研究方向：宽禁带半导体材料与器件宽禁带半导体材料（Ga₂O₃、金刚石、AlN、 GaN）、光电子器件（深紫外探测器、紫外LED）、功率电子器件（肖特基二极管、MOS场效应晶体管）、氧化物MOCVD外延生长与p型掺杂等。

1. 多步骤的热力学条件控制实现氧化镓中p型掺杂的探索，国家自然科学基金（青年）项目，30万，2023.01-2025.12，主持，结题；
2. 高空穴浓度p型氧化镓单晶薄膜的原位掺杂研究，福建省自然科学基金面上项目，10万，2024.11-2027.11，主持，在研；
3. Ga₂O₃载流子调控及高耐压、低损耗SBD功率器件研究，福州大学“旗山学者”奖励支持计划，30万，2023.08-2028.8，主持，在研；
4. Ga₂O₃单晶薄膜能带调控及高性能真空紫外（10-200 nm）探测器的研究，中央高校基本科研业务费（教育部）青年教师团队项目，12万，2022.01-2022.12，主持，结题；
5. 氧化锌中决定高背景载流子浓度的氢杂质的研究，中央高校基本科研业务费（教育部）优秀研究生创新发展项目，5万，2019.01-2019.12，主持，结题；
6. 应用于高功率器件的大尺寸高质量氧化镓材料关键技术研发及产业化，福建省重大专项专题项目，500万，2022.09-2025.12，参与骨干/第三，结题；
7. 多步骤的热动力学条件控制实现高迁移率、高热稳定性的p型氧化锌，国家自然科学基金（重大研究计划）重点项目，300万，2013.01-2018.12，参与，结题；
8. 宽禁带半导体材料本征缺陷的固体核磁共振研究，63万，国家自然科学基金（面上）项目，2021.01-2024.12，参与，结题；

1. Lemin Jia, Yubo Yuan, Titao Li*, Zhenjie Zheng, Yaoping Lu, Jiachang Zhuang, Desen Chen, Wenjie Xu, Qinming Li, Haizhong Zhang, Wei Zheng*, and Xiaoqiang Lu. High-grade β-Ga₂O₃ VUV Photodiodes Achieving 131 dB Linear Dynamic Range for 50-200 nm Beamline Applications. IEEE Electron Device Lett., 2026, Accept.
2. Yaoping Lu, Xing Yang, Ben Niu, Titao Li*, Zhenjie Zheng, Lemin Jia*, Duanyang Chen, Hongji Qi, Kelvin H. L. Zhang, Minmin Zhu, Haizhong Zhang* and Xiaoqiang Lu. Achievement of High-quality Gallium Oxide Epitaxial Growth via Machine Learning. Adv. Funct. Mater, 2026, 36, e19854.
3. Haolin Yang, Haowen Yang, Dan Zhang*, Jili Xie, Qijun Sun, Guowu Tang, Titao Li*, Xingui Tang, Wei Zheng. Localized Surface Plasmon Resonance-Driven 71.9 % EQE in Ga₂O₃ Photodetectors: From Photovoltaic Enhancement to Multifunctional Optoelectronic Logic Gates Integration. Mater. Today Phys., 2025, 59, 101886.
4. Yaoping Lu, Ancang Yang, Titao Li*, Jinxin Zhang, Lemin Jia, Duanyang Chen, Hongji Qi, Haizhong Zhang*, Xiaoqiang Lu.  In-situ Nitrogen Doping of β-Ga₂O₃ During MOCVD Homoepitaxy: A Theoretical and Experimental Study. Appl. Phys. Lett., 2025, 127, 072103.
5. Shoudong Zhu, Zhenjie Zheng, Yaoping Lu, Hao Long, Jiachang Zhuang, Lemin Jia*, Duanyang Chen, Titao Li*, Hongji Qi, Wenbi Cai, Xiang Cheng, Xiaorui Xu, Minmin Zhu, Haizhong Zhang*, Xiaoqiang Lu. Ultrahigh-Performance Photovoltaic Ga₂O₃ Solar Blind Ultraviolet Detectors via Two-Dimensional Step Flow Growth and Drift Region Optimization. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2025, 17, 48523−48531.
6. Yaoping Lu, Lemin Jia, Duanyang Chen, Titao Li*, Hongji Qi, Xiaorui Xu*, Xiaohang Li, Minmin Zhu, Haizhong Zhang*, Xiaoqiang Lu. Insight into the High Hole Concentration of p‑Type Ga₂O₃ via In Situ Nitrogen Doping. J. Phys. Chem. Lett., 2025, 16: 4243-4251. 
7. 李悌涛*,卢耀平，陈端阳，齐红基，张海忠*. 氧化镓同质外延及二维“台阶流”生长研究。人工晶体学报, 2025, 54, 219-226.
8. Zhenjie Zheng, Yaoping Lu, Jiachang Zhuang, Lemin Jia*, Shoudong Zhu, Duanyang Chen, Hongji Qi, Titao Li*, Haizhong Zhang, Xiaoqiang Lu. Ultrahigh Gain at Low Bias Achieved in Homoepitaxial Ga₂O₃ Schottky Photodiode With Low Dark Current. IEEE Electron Device Lett., 2025, 46, 143-146.
9. Xiaorui Xu, Desen Chen, Yaoping Lu, Titao Li*, Xueli Han, Duanyang Chen, Hongji Qi, Dan Yang, Minmin Zhu, Haizhong Zhang*, Xiaoqiang Lu. Nitrogen-doped Ga₂O₃ current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga₂O₃ vertical device fabrication, Appl. Phys. Lett., 2024, 125, 202107.
10. Xiaorui Xu, Yicong Deng, Titao Li*, Duanyang Chen, Fangzhou Wang, Cheng Yu, Hongji Qi, Yang Wang, Haizhong Zhang*, Xiaoqiang Lu. Over 2 GW/cm² low-conduction loss Ga₂O₃ vertical SBD with self-aligned field plate and mesa termination, Appl. Phys. Lett., 2024, 125, 022106.
11. Yaoping Lu, Titao Li*, Kangjie Li, Derek Hao, Zuxin Chen*, Haizhong Zhang*. Theoretical prediction on the stability, elastic, electronic and optical properties of MAB-phase M₄AlB₄ compounds (M = Cr, Mo, W), RSC Advances, 2024, 14(2): 1186-1194.
12. Titao Li, Siqi Zhu, Lemin Jia, Richeng Lin, Wei Zheng*, Feng Huang*. Ultrahigh EQE (38.1%) Deep-UV Photodiode with Chemically-Doped Graphene as Hole Transport Layer, Adv. Opt. Mater., 2022, 10, 2102329.
13. Titao Li, Wei Zheng*, Siqi Zhu, Fei Wang, Feng Huang. High-Pressure O2 Annealing Enhances the Crystallinity of Ultrawide-Band-Gap Sesquioxides Combined with Graphene for Vacuum-Ultraviolet Photovoltaic Detection, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2021, 13, 16660-16668.
14. Titao Li; Mengye Wang; Xiaolong Liu*; Mingge Jin; Feng Huang*. Hydrogen Impurities in ZnO: Shallow Donors in ZnO Semiconductors and Active Sites for Hydrogenation of Carbon Species, J. Phys. Chem. Lett., 2020, 11, 2402-2407.
15. Titao Li; Yanming Zhu; Xu Ji; Wei Zheng; Xia Lu; Feng Huang*. Experimental Evidence on Stability of N Substitution for O in ZnO Lattice, J. Phys. Chem. Lett., 2020, 11, 8901-8907.

获福州大学“旗山学者”、福建省高层次C类人才、福建省大学生创新大赛“优秀创新创业导师”等奖励称号。荣获物信学院2025 “最佳一节课”比赛三等奖。作为第一指导老师指导荣获中国国际大学生创新大赛（2024）省赛和国赛金奖，项目代表福建省入选教育部优秀成果展，并受邀CCTV13央视新闻专访。该成果并于2025年入选中国国家博物馆展出。

招生专业：集成电路工程（085403）；指导方向：第四代半导体材料（Ga₂O₃）、宽禁带合金化合物、光电子器件（SBUV/VUV Photodetector、DUV LED）、功率电子器件（SBD、MOSFET）、MOCVD外延生长等。