报告主题：半导体制造薄膜工艺
报 告 人：李景刚
报告时间：2026年11月17日（周二）15:00-17:00
报告地点：晋江校区教学实验楼A区学术报告厅
报告内容简介：
薄膜金属化制程是半导体晶圆制造环节至关重要的后段互连薄膜工艺，通过在硅晶圆表面沉积金属与金属化合物薄膜搭建多层电气互连网络，保障芯片内部数以亿计晶体管实现稳定信号传输，该工艺直接影响芯片的运行速率、功耗与工作可靠性，目前已在逻辑芯片、存储芯片等各类先进集成电路量产中大规模应用。本讲座针对半导体晶圆制造的薄膜金属化制程开展技术介绍，包含以下基本内容：
（1）半导体芯片行业简介
（2）薄膜金属化制程简介
（3）薄膜金属化制程在芯片制造中的应用
（4）总结以及未来趋势展望
报告人简介：
李景刚，男，新加坡国籍，联芯集成电路制造(厦门)有限公司晶圆制造处副总监，材料学硕士学历，拥有20年集成电路建厂及量产制造实战经验，长期专注集成电路薄膜工艺研究，深度参与28nm、22nm先进工艺节点的技术整合与开发。拥有海内外头部晶圆制造企业完整从业履历，早期就职于中芯国际北京厂，在国内一线产线积累扎实的芯片制造基础工艺能力；随后任职于联华电子新加坡分公司，接触海外成熟先进制程的工程实践，拓宽国际化工艺视野。自2016年加入联芯集成电路至今，投身国内晶圆产线建设与工艺技术攻关。兼具国内建厂落地与海外大厂制程开发双重经验，熟悉薄膜制程从研发调试到大批量量产的全流程，对薄膜金属化等芯片关键工艺拥有十分丰富的工程实操积累。
