报告主题：面向硅基光电和量子计算的异质外延材料与器件
报 告 人：张结印 副研究员
报告时间：2026年10月16日（周五）9:30
报告地点：晋江校区教学实验楼A区学术报告厅
报告内容：
以自旋为比特载体的半导体量子点量子计算在可拓展性、易初始化和读取等方面具有优势，是实现固态量子计算的主要路线之一。早期研究基于III-V族材料，无法排除核自旋引起的超精细相互作用，退相干时间较短。SiGe材料具有与CMOS工艺相兼容、电子或空穴有效质量小等多重优势且经纯化可获得无核自旋的28Si和72Ge，是实现半导体量子点量子计算的理想材料。报告将介绍基于分子束外延技术，利用不同的制备方法实现高质量的硅基SiGe和纯Ge薄膜材料，制备高迁移率的Si/SiGe和Ge/SiGe二维异质结材料。
报告人简介：
张结印，博士、副研究员、硕士生导师；东莞市D类人才；主持国家自然科学基金面上和青年项目各1项；骨干参与科技部科技创新2030-重大项目、国际合作交流项目、国自然基金委后摩尔重点项目、广东省量子专项重大项目等。发表SCI论文34篇，授权发明专利3项。研究方向：硅基光电集成异质材料和硅基量子计算材料研发；实现无位错和无交叉线的SiGe薄膜和异质结材料；Si/SiGe异质结和Ge/SiGe异质结迁移率达到分子束外延技术的文献报道纪录值。
